韩国半导体出口统计
半导体出口增长了，到底是卖得更多，还是价格上涨？我们用韩国银行贸易指数把韩元计出口增长拆分为数量、美元价格和汇率，并用关税厅品目数据分别查看DRAM、HBM和闪存。
三项效应相乘：(1+数量)×(1+美元价格)×(1+汇率) = (1+韩元计出口额)。韩元兑美元月均汇率上升（韩元贬值）时汇率效应为正。
2025年12月，韩国半导体出口（韩元计）同比增长47.8%。 实际出货数量变化+4.7%，美元价格变化+38.0%，汇率效应+2.3%，变化主要来自价格。 按品类看，半导体整体·集成电路为价格驱动，分立器件·制造设备为数量驱动。 关税厅2025年12月速报显示，DRAM出口42亿美元（同比+98.3%），HBM等复合结构芯片62亿美元（+42.3%），存储器出口的32%运往中国。
① 月度数量趋势 — 各品类数量指数（韩国银行）
剔除价格变化后的实际出口数量走势。可切换为美元价格或美元金额指数进行比较；选择“3个月平均”可减少日历效应带来的波动，更清楚地看出趋势。
近3个月平均半导体数量指数为195.8（2020年=100），较上年同期变化+5.1%；同期美元价格指数变化+29.8%。
水平为指数（2020年平均 = 100）。美元价格指数 = 金额指数 ÷ 数量指数 × 100。 环比会因工作日数、季末集中出货等日历效应波动超过±10%（未经季节调整的原始数据）。趋势请看同比。
② 半导体整体 — 数量·美元价格·汇率分解（韩国银行）
柱状为三项效应对韩元计出口同比增长的贡献，折线为合计。按对数计算，三根柱子相加正好等于折线。将鼠标悬停可查看实际增长率（%）。
| 月份 | 韩元计出口额 | 数量 | 美元价格 | 韩元/美元（月均） | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 水平 | 同比 | 环比 | 水平 | 同比 | 环比 | 水平 | 同比 | 环比 | 水平 | 同比 | 环比 | |
| 2025年12月 | 311.0 | +47.8% | +21.8% | 219.1 | +4.7% | +18.4% | 114.2 | +38.0% | +2.2% | 1,467.4 | +2.3% | +0.7% |
| 2025年11月 | 255.3 | +45.6% | +12.4% | 185.1 | +5.2% | +1.0% | 111.7 | +32.3% | +8.7% | 1,457.8 | +4.6% | +2.4% |
| 2025年10月 | 227.1 | +32.1% | -3.3% | 183.2 | +5.6% | -18.3% | 102.8 | +19.6% | +15.7% | 1,423.4 | +4.6% | +2.3% |
| 2025年9月 | 234.8 | +27.8% | +10.4% | 224.2 | +23.2% | +8.6% | 88.8 | -0.5% | +1.5% | 1,391.8 | +4.3% | +0.2% |
| 2025年8月 | 212.8 | +31.9% | +3.7% | 206.5 | +32.7% | +2.5% | 87.5 | -3.1% | +0.1% | 1,389.7 | +2.6% | +1.1% |
| 2025年7月 | 205.2 | +31.3% | -1.2% | 201.4 | +37.0% | -6.6% | 87.4 | -3.6% | +5.1% | 1,375.2 | -0.6% | +0.6% |
| 2025年6月 | 207.8 | +10.3% | +6.5% | 215.7 | +17.4% | +8.6% | 83.2 | -5.1% | +0.1% | 1,367.0 | -1.0% | -2.0% |
| 2025年5月 | 195.1 | +23.8% | +15.1% | 198.6 | +28.8% | +16.9% | 83.1 | -5.9% | +2.0% | 1,394.5 | +2.1% | -3.4% |
| 2025年4月 | 169.5 | +23.8% | -11.9% | 169.9 | +26.5% | -13.2% | 81.5 | -7.3% | +2.5% | 1,444.3 | +5.6% | -0.9% |
| 2025年3月 | 192.3 | +21.7% | +37.4% | 195.9 | +13.0% | +34.6% | 79.5 | -1.6% | +1.3% | 1,457.0 | +9.5% | +0.8% |
| 2025年2月 | 139.9 | +4.2% | -5.7% | 145.6 | -5.2% | -3.0% | 78.5 | +1.2% | -2.1% | 1,445.6 | +8.5% | -0.7% |
| 2025年1月 | 148.4 | +17.2% | -29.5% | 150.1 | +1.3% | -28.3% | 80.2 | +5.2% | -3.1% | 1,455.8 | +10.0% | +1.5% |
水平：韩元计出口、数量、美元价格为指数（2020年平均 = 100），韩元/美元为月均汇率。韩元出口指数 = 美元金额指数 ×（韩元/美元 ÷ 2020年平均汇率），美元价格指数 = 金额指数 ÷ 数量指数 × 100。
环比会因工作日数、季末集中出货等日历效应波动超过±10%（未经季节调整的原始数据）。趋势请看同比。
③ 按品类比较 — 是什么拉动了出口？（韩国银行）
对各品类采用相同方法，以美元计（不含汇率效应）。数量和价格中变动较大的一方标为“驱动因素”。 · 2025年12月
| 品类 | 美元计出口 | 数量 | 美元价格 | 驱动因素 | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 水平 | 同比 | 环比 | 水平 | 同比 | 环比 | 水平 | 同比 | 环比 | ||
| 半导体整体 | 250.1 | +44.5% | +21.0% | 219.1 | +4.7% | +18.4% | 114.2 | +38.0% | +2.2% | 价格驱动 |
| 集成电路（存储器、系统半导体） | 259.0 | +45.2% | +22.0% | 228.3 | +3.0% | +19.3% | 113.4 | +41.0% | +2.3% | 价格驱动 |
| 分立器件（晶体管、二极管等） | 78.0 | +10.0% | -21.3% | 83.7 | +14.7% | -21.3% | 93.2 | -4.1% | -0.0% | 数量驱动 |
| 半导体制造设备 | 171.3 | +2.7% | +27.6% | 187.1 | +4.4% | +27.7% | 91.6 | -1.7% | -0.1% | 数量驱动 |
水平为指数（2020年平均 = 100）。美元价格指数 = 金额指数 ÷ 数量指数 × 100。
④ 品目速报 — DRAM·HBM·闪存（韩国关税厅）
韩国关税厅10位品目数据，早于韩国银行公布。由于缺少对应各品目的价格指数，我们用“出口重量”和“每公斤单价”代替数量和价格进行分解。每公斤单价同时包含涨价和规格升级（同等重量容量更大）。
| 品目 | 出口额 ($B) | 重量 (吨) | 每公斤单价 ($) | 占比 | 韩国银行价格指数 同比 | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 水平 | 同比 | 环比 | 水平 | 同比 | 环比 | 水平 | 同比 | 环比 | |||
| DRAMi | 4.16 | +98.3% | +15.3% | 175.2 | +29.2% | +18.0% | 23,725 | +53.4% | -2.2% | 24.9% | +50.3% |
| HBM等（存储器复合结构芯片）i | 6.16 | +42.3% | +31.8% | 104.7 | +18.3% | +12.8% | 58,869 | +20.3% | +16.8% | 36.9% | |
| 闪存i | 1.28 | +108.1% | +15.8% | 45.0 | +6.6% | +10.2% | 28,353 | +95.1% | +5.1% | 7.6% | +68.5% |
| 存储器复合元件（MCO）i | 0.99 | +162.1% | +31.9% | 18.2 | +92.4% | +45.1% | 54,007 | +36.2% | -9.1% | 5.9% | |
| 处理器·控制器i | 2.83 | -2.9% | -1.9% | 643.1 | +15.4% | +8.2% | 4,400 | -15.8% | -9.3% | 16.9% | |
| 其他集成电路i | 1.29 | -1.9% | +41.3% | 323.7 | -1.4% | +14.7% | 3,984 | -0.5% | +23.1% | 7.7% | |
| 集成电路合计 | 16.70 | +43.4% | +19.9% | 1,309.9 | +12.8% | +11.8% | 12,748 | +27.2% | +7.2% | 100% | |
※ 韩国关税厅未单独统计HBM。HBM等堆叠存储器似乎按“HS 8542.32-3000 复合结构芯片集成电路”申报，因此以此项作为HBM的估算值。
韩国银行价格指数：同月DRAM/闪存出口价格指数（美元计）变化率。每公斤单价涨幅远高于价格指数时，说明规格升级的影响较大。
环比会因工作日数、季末集中出货等日历效应波动超过±10%（未经季节调整的原始数据）。趋势请看同比。
各品目月度趋势
每个品目单独绘图，较小的品目也能看清（纵轴各不相同）。默认显示“重量”，作为各品目数量趋势的衡量标准。柱为月度数值，线为3个月平均。
近3个月出货重量较上年同期：DRAM +36.5%，HBM等 +27.7%，闪存 +2.5%，处理器·控制器 +12.5%。
存储器出口前十大目的地
按HS 8542.32（全部存储器）统计。发往香港的货物有相当部分转口至中国内地等地。 · 2025年12月
※ 关税厅的国家是芯片到达的国家，而不是最终买家所在国。存储器运往组装服务器和手机的工厂，因此美国大型科技公司的需求大多体现为对台湾（GPU·服务器组装）、中国、墨西哥等地的出口。
| # | 国家/地区 | 出口额 | 占比 | 同比 | 环比 |
|---|---|---|---|---|---|
| 1 | CN | $4.06B | 32.1% | +94.6% | +14.6% |
| 2 | TW | $2.88B | 22.8% | +31.9% | +25.9% |
| 3 | HK | $2.62B | 20.7% | +33.3% | +44.4% |
| 4 | VN | $1.39B | 11.0% | +109.3% | +52.9% |
| 5 | MY | $0.46B | 3.6% | +288.9% | -8.9% |
| 6 | PH | $0.37B | 2.9% | +278.1% | -2.6% |
| 7 | SG | $0.31B | 2.5% | +375.9% | +85.7% |
| 8 | IN | $0.16B | 1.3% | +183.8% | +37.9% |
| 9 | US | $0.10B | 0.8% | +288.7% | +54.9% |
| 10 | BR | $0.06B | 0.5% | +50.4% | +7.7% |
计算方法
韩国银行出口金额指数反映美元计出口额，出口数量指数是用出口价格平减后的数值。因此“金额指数÷数量指数”即美元价格，再乘以韩元兑美元月均汇率变化，就得到韩元计出口额的变化。
每个月与上年同月比较，以消除季节性。图表采用对数变化率，三项效应可直接相加；表格中的百分比为实际增长率。
关税厅数据为HS 8542.31·32·33·39（集成电路）10位品目按国家加总。与韩国银行“集成电路”的品目范围略有不同，增长率可能相差几个百分点。
常见问题
如何判断半导体出口增长来自数量还是价格？
看韩国银行每月发布的半导体出口数量指数即可。数量指数剔除了价格变化，它与金额指数的差就是价格效应。本页②、③表就是这一计算。
有单独的HBM出口统计吗？
目前没有单独统计HBM的官方数据。本页以关税厅“HS 8542.32-3000 存储器复合结构芯片”出口作为HBM估算值，其中可能包含其他堆叠存储器产品。
为什么DRAM、HBM用重量而不是数量？
HBM没有官方价格指数，DRAM价格指数也无法完全反映实际出口产品结构，推算出的数量偏差很大。因此我们用关税厅实测的重量和每公斤单价来分解，只展示无需模型即可核实的数字。
数据何时更新？
每天韩国时间上午9:40检查是否有新发布并更新。关税厅品目数据早于韩国银行贸易指数发布，因此④表常常比②、③表早一个月。
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