韩国半导体出口统计
半导体出口增长了，到底是卖得更多，还是价格上涨？我们用韩国银行贸易指数把韩元计出口增长拆分为数量、美元价格和汇率，并用关税厅品目数据分别查看DRAM、HBM和闪存。
三项效应相乘：(1+数量)×(1+美元价格)×(1+汇率) = (1+韩元计出口额)。韩元兑美元月均汇率上升（韩元贬值）时汇率效应为正。
2026年1月，韩国半导体出口（韩元计）同比增长105.9%。 实际出货数量变化+18.5%，美元价格变化+73.6%，汇率效应+0.0%，变化主要来自价格。 按品类看，半导体整体·集成电路为价格驱动，分立器件·制造设备为数量驱动。 关税厅2026年1月速报显示，DRAM出口51亿美元（同比+175.5%），HBM等复合结构芯片49亿美元（+118.4%），存储器出口的41%运往中国。
① 月度数量趋势 — 各品类数量指数（韩国银行）
剔除价格变化后的实际出口数量走势。可切换为美元价格或美元金额指数进行比较；选择“3个月平均”可减少日历效应带来的波动，更清楚地看出趋势。
近3个月平均半导体数量指数为194.0（2020年=100），较上年同期变化+8.7%；同期美元价格指数变化+47.6%。
水平为指数（2020年平均 = 100）。美元价格指数 = 金额指数 ÷ 数量指数 × 100。 环比会因工作日数、季末集中出货等日历效应波动超过±10%（未经季节调整的原始数据）。趋势请看同比。
② 半导体整体 — 数量·美元价格·汇率分解（韩国银行）
柱状为三项效应对韩元计出口同比增长的贡献，折线为合计。按对数计算，三根柱子相加正好等于折线。将鼠标悬停可查看实际增长率（%）。
| 月份 | 韩元计出口额 | 数量 | 美元价格 | 韩元/美元（月均） | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 水平 | 同比 | 环比 | 水平 | 同比 | 环比 | 水平 | 同比 | 环比 | 水平 | 同比 | 环比 | |
| 2026年1月 | 305.5 | +105.9% | -1.8% | 177.9 | +18.5% | -18.8% | 139.2 | +73.6% | +21.9% | 1,456.5 | +0.0% | -0.7% |
| 2025年12月 | 311.0 | +47.8% | +21.8% | 219.1 | +4.7% | +18.4% | 114.2 | +38.0% | +2.2% | 1,467.4 | +2.3% | +0.7% |
| 2025年11月 | 255.3 | +45.6% | +12.4% | 185.1 | +5.2% | +1.0% | 111.7 | +32.3% | +8.7% | 1,457.8 | +4.6% | +2.4% |
| 2025年10月 | 227.1 | +32.1% | -3.3% | 183.2 | +5.6% | -18.3% | 102.8 | +19.6% | +15.7% | 1,423.4 | +4.6% | +2.3% |
| 2025年9月 | 234.8 | +27.8% | +10.4% | 224.2 | +23.2% | +8.6% | 88.8 | -0.5% | +1.5% | 1,391.8 | +4.3% | +0.2% |
| 2025年8月 | 212.8 | +31.9% | +3.7% | 206.5 | +32.7% | +2.5% | 87.5 | -3.1% | +0.1% | 1,389.7 | +2.6% | +1.1% |
| 2025年7月 | 205.2 | +31.3% | -1.2% | 201.4 | +37.0% | -6.6% | 87.4 | -3.6% | +5.1% | 1,375.2 | -0.6% | +0.6% |
| 2025年6月 | 207.8 | +10.3% | +6.5% | 215.7 | +17.4% | +8.6% | 83.2 | -5.1% | +0.1% | 1,367.0 | -1.0% | -2.0% |
| 2025年5月 | 195.1 | +23.8% | +15.1% | 198.6 | +28.8% | +16.9% | 83.1 | -5.9% | +2.0% | 1,394.5 | +2.1% | -3.4% |
| 2025年4月 | 169.5 | +23.8% | -11.9% | 169.9 | +26.5% | -13.2% | 81.5 | -7.3% | +2.5% | 1,444.3 | +5.6% | -0.9% |
| 2025年3月 | 192.3 | +21.7% | +37.4% | 195.9 | +13.0% | +34.6% | 79.5 | -1.6% | +1.3% | 1,457.0 | +9.5% | +0.8% |
| 2025年2月 | 139.9 | +4.2% | -5.7% | 145.6 | -5.2% | -3.0% | 78.5 | +1.2% | -2.1% | 1,445.6 | +8.5% | -0.7% |
水平：韩元计出口、数量、美元价格为指数（2020年平均 = 100），韩元/美元为月均汇率。韩元出口指数 = 美元金额指数 ×（韩元/美元 ÷ 2020年平均汇率），美元价格指数 = 金额指数 ÷ 数量指数 × 100。
环比会因工作日数、季末集中出货等日历效应波动超过±10%（未经季节调整的原始数据）。趋势请看同比。
③ 按品类比较 — 是什么拉动了出口？（韩国银行）
对各品类采用相同方法，以美元计（不含汇率效应）。数量和价格中变动较大的一方标为“驱动因素”。 · 2026年1月
| 品类 | 美元计出口 | 数量 | 美元价格 | 驱动因素 | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 水平 | 同比 | 环比 | 水平 | 同比 | 环比 | 水平 | 同比 | 环比 | ||
| 半导体整体 | 247.6 | +105.8% | -1.0% | 177.9 | +18.5% | -18.8% | 139.2 | +73.6% | +21.9% | 价格驱动 |
| 集成电路（存储器、系统半导体） | 256.2 | +108.4% | -1.1% | 183.8 | +16.4% | -19.5% | 139.4 | +79.1% | +22.9% | 价格驱动 |
| 分立器件（晶体管、二极管等） | 80.9 | +15.9% | +3.8% | 86.7 | +19.7% | +3.6% | 93.3 | -3.1% | +0.1% | 数量驱动 |
| 半导体制造设备 | 138.0 | +11.5% | -19.4% | 151.4 | +12.9% | -19.1% | 91.2 | -1.3% | -0.4% | 数量驱动 |
水平为指数（2020年平均 = 100）。美元价格指数 = 金额指数 ÷ 数量指数 × 100。
④ 品目速报 — DRAM·HBM·闪存（韩国关税厅）
韩国关税厅10位品目数据，早于韩国银行公布。由于缺少对应各品目的价格指数，我们用“出口重量”和“每公斤单价”代替数量和价格进行分解。每公斤单价同时包含涨价和规格升级（同等重量容量更大）。
| 品目 | 出口额 ($B) | 重量 (吨) | 每公斤单价 ($) | 占比 | 韩国银行价格指数 同比 | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 水平 | 同比 | 环比 | 水平 | 同比 | 环比 | 水平 | 同比 | 环比 | |||
| DRAMi | 5.06 | +175.5% | +21.7% | 142.4 | +13.9% | -18.7% | 35,525 | +141.8% | +49.7% | 30.9% | +102.6% |
| HBM等（存储器复合结构芯片）i | 4.88 | +118.4% | -20.7% | 87.6 | +52.1% | -16.3% | 55,749 | +43.6% | -5.3% | 29.8% | |
| 闪存i | 1.43 | +367.0% | +12.5% | 43.6 | +54.3% | -3.1% | 32,929 | +202.6% | +16.1% | 8.8% | +115.0% |
| 存储器复合元件（MCO）i | 0.69 | +90.9% | -29.7% | 14.0 | +61.4% | -23.1% | 49,376 | +18.3% | -8.6% | 4.2% | |
| 处理器·控制器i | 3.40 | +25.8% | +20.1% | 645.4 | +17.8% | +0.4% | 5,267 | +6.9% | +19.7% | 20.8% | |
| 其他集成电路i | 0.90 | +12.1% | -30.5% | 331.5 | +15.1% | +2.4% | 2,703 | -2.6% | -32.1% | 5.5% | |
| 集成电路合计 | 16.37 | +98.5% | -2.0% | 1,264.6 | +19.8% | -3.5% | 12,942 | +65.7% | +1.5% | 100% | |
※ 韩国关税厅未单独统计HBM。HBM等堆叠存储器似乎按“HS 8542.32-3000 复合结构芯片集成电路”申报，因此以此项作为HBM的估算值。
韩国银行价格指数：同月DRAM/闪存出口价格指数（美元计）变化率。每公斤单价涨幅远高于价格指数时，说明规格升级的影响较大。
环比会因工作日数、季末集中出货等日历效应波动超过±10%（未经季节调整的原始数据）。趋势请看同比。
各品目月度趋势
每个品目单独绘图，较小的品目也能看清（纵轴各不相同）。默认显示“重量”，作为各品目数量趋势的衡量标准。柱为月度数值，线为3个月平均。
近3个月出货重量较上年同期：DRAM +26.8%，HBM等 +24.2%，闪存 +11.3%，处理器·控制器 +15.5%。
存储器出口前十大目的地
按HS 8542.32（全部存储器）统计。发往香港的货物有相当部分转口至中国内地等地。 · 2026年1月
※ 关税厅的国家是芯片到达的国家，而不是最终买家所在国。存储器运往组装服务器和手机的工厂，因此美国大型科技公司的需求大多体现为对台湾（GPU·服务器组装）、中国、墨西哥等地的出口。
| # | 国家/地区 | 出口额 | 占比 | 同比 | 环比 |
|---|---|---|---|---|---|
| 1 | CN | $4.93B | 40.7% | +191.7% | +21.6% |
| 2 | TW | $2.47B | 20.4% | +138.4% | -14.2% |
| 3 | HK | $2.28B | 18.8% | +353.4% | -13.1% |
| 4 | VN | $1.20B | 9.9% | +37.4% | -13.5% |
| 5 | PH | $0.42B | 3.4% | +500.8% | +13.6% |
| 6 | TH | $0.24B | 2.0% | +2,220.5% | +692.7% |
| 7 | IN | $0.13B | 1.1% | +11.7% | -20.8% |
| 8 | US | $0.09B | 0.7% | +286.4% | -7.1% |
| 9 | JP | $0.08B | 0.7% | +204.7% | +35.9% |
| 10 | BR | $0.06B | 0.5% | +40.8% | +0.1% |
计算方法
韩国银行出口金额指数反映美元计出口额，出口数量指数是用出口价格平减后的数值。因此“金额指数÷数量指数”即美元价格，再乘以韩元兑美元月均汇率变化，就得到韩元计出口额的变化。
每个月与上年同月比较，以消除季节性。图表采用对数变化率，三项效应可直接相加；表格中的百分比为实际增长率。
关税厅数据为HS 8542.31·32·33·39（集成电路）10位品目按国家加总。与韩国银行“集成电路”的品目范围略有不同，增长率可能相差几个百分点。
常见问题
如何判断半导体出口增长来自数量还是价格？
看韩国银行每月发布的半导体出口数量指数即可。数量指数剔除了价格变化，它与金额指数的差就是价格效应。本页②、③表就是这一计算。
有单独的HBM出口统计吗？
目前没有单独统计HBM的官方数据。本页以关税厅“HS 8542.32-3000 存储器复合结构芯片”出口作为HBM估算值，其中可能包含其他堆叠存储器产品。
为什么DRAM、HBM用重量而不是数量？
HBM没有官方价格指数，DRAM价格指数也无法完全反映实际出口产品结构，推算出的数量偏差很大。因此我们用关税厅实测的重量和每公斤单价来分解，只展示无需模型即可核实的数字。
数据何时更新？
每天韩国时间上午9:40检查是否有新发布并更新。关税厅品目数据早于韩国银行贸易指数发布，因此④表常常比②、③表早一个月。
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